Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFBC20PBF

MOSFET N-CH 600V 2.2A TO220AB

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IRFBC20

IRFBC20PBF Hakkında

IRFBC20PBF, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source geriliminde 2.2A sürekli akım kapasitesiyle çalışır. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponent, yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 10V gate geriliminde 4.4Ω maksimum RDS(on) değeri ile iletim kaybını minimize eder. 50W maksimum güç tüketimiyle offline power supplies, motor kontrol devreleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında güvenli çalışma sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.2A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 350 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.4Ohm @ 1.3A, 10V
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok