Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFBA90N20DPBF

IRFBA90N20 - SMPS HEXFET

Paket/Kılıf
TO-273AA
Seri / Aile Numarası
IRFBA90N20

IRFBA90N20DPBF Hakkında

IRFBA90N20DPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. SMPS (Switched Mode Power Supply) uygulamaları için tasarlanan HEXFET teknolojisine sahip bu bileşen, 200V drain-source gerilimi ve 98A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç elektronikleri devrelerinde kullanılır. 23mΩ maksimum on-resistance değeri ile düşük ısı kaybı sağlar. Anahtarlama güç kaynakları, DC-DC konvertörleri, invertörler ve motor sürücü uygulamalarında yaygın olarak kullanılan bir bileşendir. TO-273AA (SUPER-220™) paket tipinde sunulur ve -55°C ile +175°C sıcaklık aralığında çalışır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 98A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6080 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-273AA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 650W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 59A, 10V
Supplier Device Package SUPER-220™ (TO-273AA)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok