Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFB9N65APBF-BE3
MOSFET N-CH 650V 8.5A TO220AB
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFB9N65APBF
IRFB9N65APBF-BE3 Hakkında
IRFB9N65APBF-BE3, Vishay tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilimi ve 8.5A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-220AB kılıfında sunulan bu transistör, 930mOhm on-state direnci ile anahtarlama devreleri, güç kaynakları, inverter ve motor kontrol uygulamalarında yer alır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bileşen, 48nC gate charge ve düşük input kapasitanası ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. 167W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarına uygun bir seçenektir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 48 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1417 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 167W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 930mOhm @ 5.1A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok