Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFB9N65APBF
MOSFET N-CH 650V 8.5A TO220AB
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFB9N65APBF
IRFB9N65APBF Hakkında
IRFB9N65APBF, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 650V yüksek voltaj kapasitesi ve 8.5A sürekli dren akımı ile tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 930mOhm RDS(on) değerine sahip olup düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilmesi geniş sıcaklık aralığında kullanılmasını mümkün kılar. 167W maksimum güç dissipasyonu kapasitesiyle güç elektronikleri uygulamalarında, anahtarlama devrelerinde ve SMPS (Switch Mode Power Supply) tasarımlarında yaygın olarak kullanılır. ±30V maksimum Gate-Source voltajı ile sürülmesinin kolay olması avantajıdır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 48 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1417 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 167W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 930mOhm @ 5.1A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok