Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFB9N65A
MOSFET N-CH 650V 8.5A TO220AB
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFB9N65A
IRFB9N65A Hakkında
IRFB9N65A, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V Drain-Source gerilimi ve 8.5A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmaya uygundur. TO-220-3 paket tipi ile montaj kolaylığı sağlar. 930mΩ maksimum RDS(on) değeri ile enerji tasarrufu sağlayan tasarımlarda tercih edilir. Güç kaynakları, inverter devreleri, motor sürücüleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılan bu bileşen -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Gate charge değeri 48nC olup hızlı anahtarlama özelliği sunar. Ürün statüsü Obsolete kategorisindedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 48 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1417 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 167W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 930mOhm @ 5.1A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok