Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFB9N60APBF
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220AB
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFB9N60APBF
IRFB9N60APBF Hakkında
IRFB9N60APBF, Vishay tarafından üretilen 600V N-channel MOSFET transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 9.2A sürekli dren akımı kapasitesine ve 750mOhm (10V, 5.5A) RDS(on) değerine sahiptir. Gate charge değeri 49nC olup, -55°C ile 150°C arasında çalışabilmektedir. Yüksek voltaj uygulamalarında anahtar görevi görmek üzere tasarlanmış bu transistör, endüstriyel güç dönüştürücü devreleri, DC-DC konvertörleri, motor kontrol uygulamaları ve güç yönetim sistemlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. Düşük kapı yükü ve hızlı komütasyon özellikleri sayesinde verimli devre tasarımlarına olanak tanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 49 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1400 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 170W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 750mOhm @ 5.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok