Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFB9N60A
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220AB
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFB9N60A
IRFB9N60A Hakkında
IRFB9N60A, Vishay tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilimi ve 9.2A sürekli drenaj akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 750mOhm maksimum RDS(on) değeri ile enerji kaybını sınırlandırır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürücüler, inverterler, motor kontrol devreleri ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, yüksek voltaj ve orta güç seviyeleri gerektiren endüstriyel elektronik sistemlerde yer alır. Maksimum 170W güç yayılımı kapasitesiyle termal yönetimi iyi planlanmış uygulamalarda uygulanabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 49 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1400 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 170W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 750mOhm @ 5.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok