Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFB9N30APBF
MOSFET N-CH 300V 9.3A TO220AB
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFB9N30AP
IRFB9N30APBF Hakkında
IRFB9N30APBF, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 300V drain-source gerilimi ve 9.3A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paket tipinde sunulan IRFB9N30APBF, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, invertörler ve anahtarlama güç kaynağı (SMPS) tasarımlarında yer alır. 450mOhm maksimum RDS(on) değeri ile verimli çalışma sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu transistör, endüstriyel ve ticari uygulamalarda tercih edilen bir seçenektir. Dosya: TO-220AB paketinde Through-Hole montajı için tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 300 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 920 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 96W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450mOhm @ 5.6A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok