Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFB812PBF
MOSFET N CH 500V 3.6A TO220AB
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFB812
IRFB812PBF Hakkında
IRFB812PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 500V drain-source gerilimi ve 3.6A sürekli dren akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 10V kapı geriliminde 2.2Ohm on-resistance değerine sahiptir. Gate charge karakteristiği 20nC @ 10V olup, input kapasitansi 810pF @ 25V'dir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, anahtarlama uygulamaları ve yüksek voltajlı dönüştürücülerde kullanılır. 78W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile endüstriyel uygulamalara uygun bir seçenektir. Not: Bu ürün kullanım dışı (obsolete) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 810 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 78W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.2Ohm @ 2.2A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok