Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFB7730PBF

MOSFET N-CH 75V 195A TO220AB

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IRFB7730

IRFB7730PBF Hakkında

IRFB7730PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 75V drain-source voltajı ve 195A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. 2.6mΩ on-direnç (Rds On) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. TO-220AB paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama devreleri, motor kontrolü, güç kaynakları, DC-DC konverterleri ve ağır akım uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile +175°C arasında çalışabilir ve 375W güç disipasyonuna kapasite sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 195A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 75 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 407 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 13660 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.6mOhm @ 100A, 10V
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.7V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok