Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFB7530PBF

MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IRFB7530

IRFB7530PBF Hakkında

IRFB7530PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilim ve 195A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 2mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek akım uygulamalarında anahtarlama ve güç yönetimi görevlerinde kullanılır. Motor sürücüler, güç kaynakları, inverterler ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Through-hole montaj tipi ile PCB'lere direkt olarak lehimlenir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 195A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 411 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 13703 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2mOhm @ 100A, 10V
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.7V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok