Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFB61N15DPBF

MOSFET N-CH 150V 60A TO220AB

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IRFB61N15D

IRFB61N15DPBF Hakkında

IRFB61N15DPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 150V dren-kaynak gerilimi ve 60A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 32mOhm maksimum gate kapalı direnci (Rds On) sayesinde düşük enerji kaybı sağlar. Çalışma sıcaklığı aralığı -55°C ile 175°C arasında değişmektedir. Gate charge değeri 140nC olup, hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Güç kaynakları, motor kontrolü, DC-DC konvertörleri ve inverter tasarımlarında yaygın olarak kullanılan bu MOSFET, endüstriyel elektronik uygulamalarında etkili bir çözüm sunar. Maks. 330W güç dağılımı kapasitesi ile termal yönetim gerektiren devrelerde tercih edilebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 60A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3470 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.4W (Ta), 330W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 32mOhm @ 36A, 10V
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok