Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFB61N15DPBF

IRFB61N15 - 12V-300V N-CHANNEL P

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IRFB61N15

IRFB61N15DPBF Hakkında

IRFB61N15DPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 150V drain-source gerilimi ve 60A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu bileşen, güç anahtarlaması ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan transistör, endüstriyel şarj cihazları, anahtarlamalı güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir. 32mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 60A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 150 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3470 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.4W (Ta), 330W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 32mOhm @ 36A, 10V
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok