Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFB59N10DPBF
MOSFET N-CH 100V 59A TO220AB
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFB59N10D
IRFB59N10DPBF Hakkında
IRFB59N10DPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel güç MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ve 59A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 10V gate sürüş geriliminde 25mΩ maksimum RDS(on) direnci ile verimli anahtarlama sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, AC-DC konvertörleri, motor sürücüleri, şarj cihazları ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. 114nC gate yükü ve 2450pF input kapasitansi ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 59A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 114 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2450 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 200W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 35.4A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok