Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFB59N10DPBF
SMPS HEXFET POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFB59N10D
IRFB59N10DPBF Hakkında
IRFB59N10DPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel HEXFET Power MOSFET'tir. 100V Drain-Source gerilimi ve 59A sürekli drain akımı kapasitesi ile SMPS (Switched Mode Power Supply) uygulamalarında kullanılmaktadır. 25mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletkenlikteki kayıplar sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. TO-220-3 paket tipi ile diyot montajı gerektiren uygulamalarda, güç kaynakları, invertörler ve motor denetim devrelerinde yaygın olarak tercih edilir. 114nC gate charge ve 2450pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama özelliğine olanak tanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 59A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 114 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2450 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 200W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 35.4A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok