Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFB5620PBF
IRFB5620 - 12V-300V N-CHANNEL PO
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFB5620
IRFB5620PBF Hakkında
IRFB5620PBF, Rochester Electronics tarafından üretilen 200V N-Channel MOSFET transistördür. TO-220-3 paketinde gelen bu bileşen, 25A sürekli dren akımı ve 72.5mOhm kapalı durum direnci (Rds On) ile güç uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama devreleri, güç kaynakları, motor sürücüleri ve gerilim regülatörleri gibi uygulamalarda tercih edilir. 10V gate sürücü gerilimi ile çalışan transistör, düşük kapı yükü (38nC) sayesinde hızlı anahtarlama performansı sağlar. 144W maksimum güç dağıtım kapasitesi ile endüstriyel ve ticari uygulamalara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1710 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 144W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 72.5mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok