Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFB5615PBF
MOSFET N-CH 150V 35A TO220AB
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFB5615
IRFB5615PBF Hakkında
IRFB5615PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 150V drain-source gerilim (Vdss) ve 35A sürekli dren akımı (Id) kapasitesine sahiptir. Düşük on-state direnci (RDS(on) = 39mOhm @ 21A, 10V) ile verimli güç iletimini sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan bu FET, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 144W güç tüketim yeteneğine sahiptir. Anahtarlama uygulamaları, güç dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve DC-DC konvertörlerde yaygın olarak kullanılır. ±20V maksimum gate-source gerilimi ile kontrol kolaylığı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1750 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 144W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 39mOhm @ 21A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok