Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFB4710PBF
MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFB4710
IRFB4710PBF Hakkında
IRFB4710PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 75A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paket türünde through-hole montajı destekler. 14mOhm düşük on-state direnci sayesinde güç uygulamalarında verimli çalışır. Gate charge değeri 170nC olan bu transistör, motor kontrol, güç kaynakları, DC-DC konvertörler ve ağır yük anahtarlaması gibi endüstriyel ve tüketici elektronikleri uygulamalarında kullanılır. Geniş çalışma sıcaklığı aralığı (-55°C ile 175°C arası) ve yüksek güç dissipasyon kapasitesi (200W at Tc) sayesinde zorlu ortamlarda güvenilir performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 75A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 170 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6160 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 200W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14mOhm @ 45A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok