Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFB4620PBF

MOSFET N-CH 200V 25A TO220AB

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IRFB4620

IRFB4620PBF Hakkında

IRFB4620PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source voltaj ve 25A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamalarında ve güç yönetimi devrelerinde kullanılır. 72.5mΩ maksimum gate-source direnci ile verimli işletme sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, endüstriyel kontrol, motor sürücüleri, güç kaynakları ve güç elektroniksi uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 144W maksimum güç hızlama kapasitesi ile yüksek güçlü tasarımlara uygun bir seçenektir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 25A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1710 pF @ 50 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 144W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 72.5mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 100µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok