Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFB4510GPBF

MOSFET N CH 100V 62A TO-220AB

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IRFB4510

IRFB4510GPBF Hakkında

IRFB4510GPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilim ve 62A sürekli dren akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu FET, güç anahtarlama uygulamalarında, motor kontrol devrelerinde, dc-dc konvertörlerde ve güç yönetim sistemlerinde kullanılır. 13.5mΩ maksimum on-direnci ile düşük kayıp ve yüksek verimlilik sağlar. 140W güç dağıtma kapasitesi, -55°C ile 175°C arasında çalışır. Through-hole montaj türü sayesinde geleneksel PCB üretim yöntemleriyle kolayca entegre edilebilir. Ürün durumu itibariyle obsolete olmasına rağmen, stok bulunduğu sürece prototip ve bakım uygulamalarında tercih edilebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 62A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3180 pF @ 50 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.5mOhm @ 37A, 10V
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 100µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok