Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFB4410ZGPBF

IRFB4410 - 12V-300V N-CHANNEL PO

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IRFB4410

IRFB4410ZGPBF Hakkında

IRFB4410ZGPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V dren-kaynak gerilimi ve 97A sürekli dren akımı ile yüksek akım uygulamaları için tasarlanmıştır. 9mOhm'luk düşük RDS(on) değeri ile enerji kaybını minimize eder. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürücüleri, motor kontrol devreleri, anahtarlama uygulamaları ve güç yönetimi sistemlerinde kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı ve 230W maksimum güç dissipasyonu ile endüstriyel ve ticari uygulamalara uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 97A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4820 pF @ 50 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 58A, 10V
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 150µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok