Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFB4332PBF

IRFB4332 - 12V-300V N-CHANNEL PO

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IRFB4332

IRFB4332PBF Hakkında

IRFB4332PBF, Rochester Electronics tarafından üretilen 250V N-Channel MOSFET transistördür. 60A sürekli dren akımı ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde gelen bu transistör, 33mOhm RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Gate charge'ı 150nC olup, hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. -40°C ile 175°C arasında çalışan transistör, endüstriyel kontrol, motor sürücüleri, güç kaynakları ve invertör uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. 390W maksimum güç disipasyonu kapasitesine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 60A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 250 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5860 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 390W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 33mOhm @ 35A, 10V
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok