Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFB4310PBF
MOSFET N-CH 100V 130A TO220AB
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFB4310
IRFB4310PBF Hakkında
IRFB4310PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 130A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, düşük RDS(on) değeri (7mΩ @ 75A, 10V) ile anahtarlama uygulamalarında yüksek verimlilik sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, güç kaynakları, motorlu uygulamalar, invertörler ve endüstriyel anahtarlama devreleri gibi gücü dağıtmaya ihtiyaç duyulan elektronik sistemlerde yaygın olarak kullanılmaktadır. 300W maksimum güç dissipasyonu kapasitesi ile ısıl yönetimi destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 130A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 250 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7670 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7mOhm @ 75A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok