Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFB4310GPBF

MOSFET N-CH 100V 130A TO220AB

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IRFB4310

IRFB4310GPBF Hakkında

IRFB4310GPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source voltajında 130A sürekli akım sağlayan bu bileşen, düşük 7mOhm on-resistance değeri ile verimli anahtarlama uygulamaları için tasarlanmıştır. TO-220-3 paket formatında sunulan transistör, -55°C ile 175°C çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans gösterir. 300W maksimum güç yayınlama kapasitesi ile güç dönüştürme, motor kontrol, elektrik arayüzleri ve endüstriyel anahtarlama devrelerine uygun bir çözümdür. ±20V gate voltajı ve 250nC gate charge değeri hızlı anahtarlama özellikleri sağlar. Through-hole montaj tipi ile geleneksel PCB tasarımlarında kullanılabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 130A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7670 pF @ 50 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 75A, 10V
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok