Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFB42N20DPBF
IRFB42N20 - 12V-300V N-CHANNEL P
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFB42N20
IRFB42N20DPBF Hakkında
IRFB42N20DPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen 200V drain-source voltaj ve 44A sürekli drain akımı kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 55mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Geniş çalışma sıcaklığı aralığında (-55°C ile 175°C arasında) kullanılabilir. Güç kaynakları, motor sürücüleri, değiştirici devreleri ve enerji yönetimi uygulamalarında yaygın olarak tercih edilmektedir. 10V gate sürüş voltajında optimal performans gösterir ve maksimum 330W güç dağılımı kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 44A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 140 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3430 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.4W (Ta), 330W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55mOhm @ 26A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok