Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFB4233PBF
MOSFET N-CH 230V 56A TO220AB
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFB4233
IRFB4233PBF Hakkında
IRFB4233PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 230V Drain-Source voltajında 56A sürekli akım kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç anahtarlama uygulamalarında, motor kontrolü devrelerinde, güç kaynakları ve çevirici topololojilerinde yaygın olarak kullanılır. 37mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 370W maksimum güç tüketimi ve -40°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklık aralığı, endüstriyel ve ticari uygulamalara uygunluğunu gösterir. NOT: Bu ürün artık üretilmemektedir (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 56A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 230 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 170 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5510 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 370W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 37mOhm @ 28A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok