Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFB4229PBF

MOSFET N-CH 250V 46A TO220AB

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IRFB4229

IRFB4229PBF Hakkında

IRFB4229PBF, 250V drain-source voltaj ve 46A sürekli drain akımı kapasitesine sahip N-Channel MOSFET'tir. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, yüksek güç uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 46mΩ maksimum on-direnci ve 330W güç yayılımı kapasitesi ile, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, şarj cihazları ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -40°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Rochester Electronics tarafından üretilen bu bileşen through-hole montajı destekler.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 46A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 250 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4560 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 330W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 46mOhm @ 26A, 10V
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok