Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFB4227PBF

MOSFET N-CH 200V 65A TO220AB

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IRFB4227

IRFB4227PBF Hakkında

IRFB4227PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi ve 65A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, güç kaynakları, motor kontrolü, anahtarlama devreleri ve DC-DC konvertörlerde yaygın olarak tercih edilmektedir. 24mOhm maksimum Rds(on) değeri ile düşük ısı kaybı sağlar. -40°C ile 175°C arasında çalışabilen bileşen, 330W maksimum güç dağılımı kapasitesine sahiptir. ±30V gate gerilimi aralığında çalışmak üzere tasarlanmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 65A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4600 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 330W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 46A, 10V
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok