Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFB4215PBF

MOSFET N-CH 60V 115A TO220AB

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IRFB4215

IRFB4215PBF Hakkında

IRFB4215PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel power MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilim (Vdss) ve 115A sürekli drain akımı (Id) kapasitesi ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. 9mΩ maksimum Rds(On) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, motor sürücüleri, güç kaynakları, değiştirici devreleri ve enerji dönüşüm sistemlerinde anahtarlama elemanı olarak yer alır. -55°C ~ 175°C çalışma sıcaklık aralığında 270W güç yayılımına sahiptir. Through-hole montaj tipi ile geleneksel PCB uygulamalarına uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 115A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4080 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 270W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 54A, 10V
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok