Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFB4212PBF
MOSFET N-CH 100V 18A TO220AB
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFB4212
IRFB4212PBF Hakkında
IRFB4212PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 18A sürekli akım kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılan bir anahtarlama elemanıdır. 72.5mΩ on-direnci (Rds On) ile verimli güç yönetimi sağlar. TO-220-3 paketlemesi ile Through Hole montajına uygundur. -55°C ile 175°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Endüstriyel kontrol devreleri, motor sürücüleri, güç kaynakları ve switching uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 60W maksimum güç disipasyonu kapasitesi ile termal yönetim gerektiren uygulamalara uygun tasarlanmıştır. Not: Bu ürün artık üretilmemektedir (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 550 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 60W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 72.5mOhm @ 13A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok