Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFB4127PBF

MOSFET N-CH 200V 76A TO220AB

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IRFB4127

IRFB4127PBF Hakkında

IRFB4127PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi ve 76A sürekli drain akımı ile güç elektronik uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 20mOhm maksimum RDS(on) değeri sayesinde düşük iletim kayıpları sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol devreleri, DC-DC konvertörleri ve ağır yük anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve maksimum 375W güç dağıtabilir. 10V sürüş gerilimi ile standart PWM kontrollerine uyumludur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 76A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5380 pF @ 50 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 44A, 10V
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok