Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFB4115GPBF

MOSFET N-CH 150V 104A TO220AB

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IRFB4115

IRFB4115GPBF Hakkında

IRFB4115GPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen bir N-channel power MOSFET transistörüdür. 150V drain-source gerilim ve 104A sürekli drain akımı ile yüksek akım uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 11mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. TO-220AB paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol devreleri, güç yönetimi uygulamaları ve inverter tasarımlarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 380W'a kadar güç dağıtabilir. ±20V gate gerilimi aralığı ve 5V threshold gerilimi ile standart kontrol devrelerine kolayca entegre edilebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 104A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5270 pF @ 50 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 380W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 62A, 10V
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok