Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFB4115GPBF
HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFB4115
IRFB4115GPBF Hakkında
IRFB4115GPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen HEXFET N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 150V drain-source voltajı ve 104A sürekli drain akımı ile güç uygulamalarında kullanılır. 11mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-220-3 paketinde monte edilen bu transistör, sürücü devreleri, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol uygulamaları ve anahtarlama devrelerinde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında 380W maksimum güç dağıtabilir. 10V drive voltajında çalıştırılır ve ±20V maksimum gate-source voltajı ile uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 104A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 120 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5270 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 380W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 62A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok