Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFB4020PBF

MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IRFB4020

IRFB4020PBF Hakkında

IRFB4020PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel güç MOSFETidir. 200V drain-source gerilimi ve 18A sürekli drain akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. TO-220AB paketinde sunulan bu transistör, 100mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile +175°C arasında çalışan cihaz, endüstriyel uygulamalar, güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. 100W maksimum güç yayılım kapasitesi ile yüksek güçlü devrelerde tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1200 pF @ 50 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 11A, 10V
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.9V @ 100µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok