Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFB4019PBF

IRFB4019 - 12V-300V N-CHANNEL PO

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IRFB4019

IRFB4019PBF Hakkında

IRFB4019PBF, Rochester Electronics tarafından üretilen 150V N-Channel MOSFET transistördür. 17A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu komponent, güç anahtarlama ve doğrultma uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan transistör, 10V gate voltajında 95mOhm on-state direncine ve 80W maksimum güç dağılımına sahiptir. ±20V maksimum gate voltajı aralığında çalışır. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 175°C) sayesinde endüstriyel uygulamalarda, motor sürücüleri, LED kontrol devreleri ve DC-DC konvertörlerde yaygın olarak tercih edilir. Through-hole montaj tipi ile PCB'ye doğrudan lehimleme yapılabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 17A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 800 pF @ 50 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 80W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 95mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.9V @ 50µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok