Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFB3507PBF
MOSFET N-CH 75V 97A TO220AB
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFB3507
IRFB3507PBF Hakkında
IRFB3507PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 75V drain-source gerilim sınırlaması ve 97A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek akım anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paket tipi ile diyot yatağına monte edilebilir. 8.8mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybında çalışır. 190W maksimum güç tüketimi özelliğine sahiptir. Anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol devreleri, güç dönüştürücüler ve benzer yüksek akım uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Çalışma sıcaklığı aralığı -55°C ile 175°C arasındadır. (Not: Bu ürün üretimi durdurulmuş durumdadır.)
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 97A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 75 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 130 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3540 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 190W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.8mOhm @ 58A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok