Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFB3306PBF

MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IRFB3306

IRFB3306PBF Hakkında

IRFB3306PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilimi ve 120A sürekli drain akımı kapasitesiyle güç uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-state direnci (4.2mΩ @ 75A, 10V) sayesinde enerji verimliliği gerektiren devrelerde tercih edilir. Anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve güç yönetimi sistemlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve maksimum 230W güç yayabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4520 pF @ 50 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2mOhm @ 75A, 10V
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 150µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok