Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFB3207ZGPBF
MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFB3207
IRFB3207ZGPBF Hakkında
IRFB3207ZGPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 75V drain-source gerilimi ve 120A sürekli drain akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 4.1mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük açılma direnci sağlar. -55°C ile +175°C arasında çalışabilir ve maksimum 300W güç dağıtabilir. Motor kontrolü, güç kaynakları, inverterler ve yüksek akımlı anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 170nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama performansı sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 75 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 170 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6920 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.1mOhm @ 75A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 150µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok