Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFB3207ZGPBF
MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFB3207
IRFB3207ZGPBF Hakkında
IRFB3207ZGPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) bileşenidir. 75V drain-source gerilimi (Vdss) ve 120A sürekli drain akımı (Id) kapasitesiyle yüksek akım uygulamaları için tasarlanmıştır. 4.1mΩ on-resistance (Rds) değeriyle düşük enerji kaybı sağlar. TO-220-3 paket tipiyle through-hole montaj için uygun olan bu transistör, güç yönetimi devreleri, motor sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında 300W maksimum güç disipasyonu yapabilir. ±20V maksimum gate-source gerilimi ile hızlı switching işlemleri gerçekleştirir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 75 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 170 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6920 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.1mOhm @ 75A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 150µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok