Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFB3207PBF

MOSFET N-CH 75V 170A TO220AB

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IRFB3207

IRFB3207PBF Hakkında

IRFB3207PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 75V Drain-Source gerilimi ve 170A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 4.5mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. ±20V gate gerilim aralığında çalışabilir ve -55°C ile 175°C sıcaklık aralığında güvenli bir şekilde kullanılabilir. TO-220-3 paket tipi ile delikli montaj uygulamalarında tercih edilir. Güç kaynakları, motor sürücüleri, anahtarlama devreleri ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. 330W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile yüksek güçlü uygulamalara uygun tasarlanmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 170A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 75 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7600 pF @ 50 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 330W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 75A, 10V
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok