Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFB3206PBF
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFB3206
IRFB3206PBF Hakkında
IRFB3206PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltajında 120A sürekli akım kapasitesine sahip olup, TO-220-3 paketinde sunulmaktadır. Düşük 3mΩ (75A, 10V koşullarında) RDS(on) değeri ile güç kaybını minimize eder. 10V gate drive voltajında 170nC gate charge karakteristiğine ve -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. 300W maksimum güç dağılımı desteği bulunmaktadır. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri, DC-DC konvertörler ve güç yönetimi sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. Through-hole montajı ile geleneksel PCB tasarımlarına uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 170 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6540 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3mOhm @ 75A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 150µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok