Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFB3206GPBF

MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IRFB3206

IRFB3206GPBF Hakkında

IRFB3206GPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source voltajına ve 120A sürekli drain akımına sahiptir. TO-220AB paket tipi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 3mΩ maksimum on-resistance değeri ile verimli anahtarlama sağlar. Geniş çalışma sıcaklık aralığında (-55°C ile 175°C arası) kararlı işlem yapabilir. Motor kontrol, güç dönüşüm devreleri, DC-DC konvertörler ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilmektedir. 300W maksimum güç dağılımı kapasitesine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6540 pF @ 50 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Not For New Designs
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3mOhm @ 75A, 10V
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 150µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok