Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFB31N20DPBF
MOSFET N-CH 200V 31A TO220AB
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFB31N20D
IRFB31N20DPBF Hakkında
IRFB31N20DPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi ve 31A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 82mΩ on-resistance değeri ile verimli güç yönetimi sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve anahtarmalı güç kaynakları gibi uygulamalarda yer alır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 200W güç yayma kapasitesine sahiptir. Junction sıcaklığında 3.1W güç dissipasyonu gerçekleştirebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 31A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 107 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2370 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.1W (Ta), 200W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 82mOhm @ 18A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok