Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFB3006GPBF

MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IRFB3006

IRFB3006GPBF Hakkında

IRFB3006GPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel güç MOSFETidir. 60V dren-kaynak gerilimi ve 195A sürekli dren akımı kapasitesiyle, yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 2.5mOhm (10V, 170A'de) düşük gate-source direnci ile verimli anahtarlama sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, dc-dc konvertörler, motor kontrol devreleri, güç kaynakları ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile 175°C işletme sıcaklık aralığında çalışabilir ve 375W maksimum güç dağıtabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 195A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 8970 pF @ 50 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5mOhm @ 170A, 10V
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok