Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFB23N20DPBF
SMPS HEXFET POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFB23N20D
IRFB23N20DPBF Hakkında
IRFB23N20DPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 200V Drain-Source gerilimi ve 24A sürekli drenaj akımı ile SMPS (Switch Mode Power Supply) uygulamalarında kullanılır. 100mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp, yüksek verimli anahtarlama sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, invertörler, motor kontrolü ve enerji yönetimi sistemlerinde tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Gate charge 86nC ve input capacitance 1960pF karakteristikleri hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 24A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 86 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1960 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 170W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 14A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok