Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFB17N60K

MOSFET N-CH 600V 17A TO220AB

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IRFB17N60K

IRFB17N60K Hakkında

IRFB17N60K, Vishay tarafından üretilen N-kanal MOSFET transistörüdür. 600V dren-kaynak gerilimi (Vdss) ve 17A sürekli dren akımı (Id) kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek gerilim güç uygulamalarında anahtar görevi gören yarı iletken elementidir. 420mΩ maksimum kapalı durum direnci (Rds On) ile güç kaybını kontrol eder. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 340W maksimum güç kaybına dayanır. Endüstriyel enerji dönüştürücüleri, motor kontrol devreleri, güç kaynakları ve anahtarlamaya dayalı elektrik devrelerinde yaygın olarak kullanılır. Komponent Obsolete statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 17A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 99 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2700 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 340W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 420mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok