Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFB17N20D
MOSFET N-CH 200V 16A TO220AB
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFB17N20D
IRFB17N20D Hakkında
IRFB17N20D, Infineon Technologies tarafından üretilen bir N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilim ve 16A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 10V gate sürüş geriliminde 170mΩ on-state direnci sayesinde düşük güç kaybı sağlar. TO-220 paket formatında sunulan bu komponent, motor kontrol devreleri, güç kaynakları, invertör uygulamaları ve anahtarlamalı güç dönüştürücülerinde yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı geniş sıcaklık ortamlarında kullanılmaya uygun hale getirir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1100 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 140W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 170mOhm @ 9.8A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok