Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFB11N50APBF
MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFB11N50A
IRFB11N50APBF Hakkında
IRFB11N50APBF, Infineon Technologies tarafından üretilen 500V N-Channel MOSFET transistörüdür. 11A sürekli dren akımı kapasitesi ve 520mΩ maksimum Rds(on) değeri ile güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde gelen bu transistör, yüksek gerilim endüstri uygulamaları, güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve şarj cihazlarında tercih edilir. ±30V gate gerilimi aralığında çalışabilen transistör, -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında operasyon sağlar. 170W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile elektrik enerjisinin verimli anahtarlanmasını gerçekleştirir. Ürün obsolete durumundadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 52 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1423 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 170W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 520mOhm @ 6.6A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok