Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFB11N50APBF
MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFB11N50A
IRFB11N50APBF Hakkında
IRFB11N50APBF, Vishay tarafından üretilen 500V N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 11A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 520mΩ RDS(on) değeri ile iletim kaybını minimize eder. Güç kaynakları, motor kontrol devreleri, çevirici (inverter) ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, 170W güç dağıtım kapasitesine sahiptir. 52nC gate charge değeri hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 52 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1423 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 170W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 520mOhm @ 6.6A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok