Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFB11N50A
MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFB11N50A
IRFB11N50A Hakkında
IRFB11N50A, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilimi ve 11A sürekli drenaj akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paket tipi ile montajı kolaydır. 520mΩ maksimum on-direnci ve 170W maksimum güç tüketimi, kontrollü anahtarlama ve güç yönetimi gerektiren devreler için uygun hale getirir. Gate eşik gerilimi 4V (@250µA) olup ±30V Vgs aralığında çalışabilir. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında stabil performans gösterir. DC-DC dönüştürücüler, güç kaynakları ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Not: Bu parça artık üretilmemektedir (obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 52 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1423 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 170W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 520mOhm @ 6.6A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok